審査員特別賞：各部門を横断して、審査委員会から特に推挙のあったものを対象として、審査員特別賞を授与する。
株式会社ディスコ
KABRA （SiCウェーハ生産の高速化・素材ロス大幅低減を実現する新レーザスライス技術。）
次世代パワーデバイス素材として期待される炭化ケイ素（SiC）ウェーハ生産の高速化、取り枚数増（素材ロス大幅低減）を実現し、生産性を従来の約４倍と、劇的に向上させることができる、新たな加工手法によるレーザスライス技術です。SiCウェーハ、ひいてはSiCパワーデバイスの生産コスト低減に繋がり、その普及に貢献します。
φ4インチSiCインゴットからウェーハを切り出すまでの加工時間を、1枚あたり2時間前後から1枚あたり15分と大幅に短縮。また、ワイヤ加工で生じるうねりを抑制し、ラップ研削工程を不要にしたことで、イニシャルコスト、ランニングコストを大幅に低減した。インゴット1本あたりのウェーハ取り枚数を、従来比約1.5倍と飛躍的にコストパフォーマンスを高めたことを評価。
